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MMBTH10中文资料25V,0.05A,General Purpose NPN Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书

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厂商型号

MMBTH10

参数属性

MMBTH10 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

功能描述

25V,0.05A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:42:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MMBTH10

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • AEC Qualified

    :NO

  • Pb Free

    :YES

  • Halide free

    :YES

  • Reach

    :YES

  • RoHS

    :YES

  • Marketing Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • V(BR)CEO(V)min.

    :25

  • IC(A)

    :0.05

  • hFEmin.

    :60

  • hFEmax.

    :-

  • VCE (sat)(V)

    :0.5

  • IB(mA)

    :0.4

  • fT(MHz)min.

    :650

  • PD(W)max.

    :0.35

  • TJ(°C)max.

    :150

  • TJ(°C)min.

    :-55

  • ECCN(US)

    :EAR99

  • Category

    :双极型晶体管

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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