MMBTH10L数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

厂商型号 |
MMBTH10L |
参数属性 | MMBTH10L 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 |
功能描述 | NPN Bipolar Transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-11 15:36:00 |
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MMBTH10L规格书详情
描述 Description
This NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose VHF/UHF applications and is housed in the SOT-23 surface mount package. This device is ideal for low-power surface mount applications.
特性 Features
• Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
• Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
• Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes a Pb-Free Lead Finish
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
简介
MMBTH10L属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的MMBTH10L晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 制造商编号
:MMBTH10L
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.5
- IC Cont. (A)
:-
- VCEO Min (V)
:25
- VCBO (V)
:30
- VEBO (V)
:3
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:0.95
- hFE Min
:60
- hFE Max
:240
- fT Min (MHz)
:650
- PTM Max (W)
:0.225
- Package Type
:SOT-23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
30000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
原厂 |
2021+ |
60000 |
原装现货,欢迎询价 |
询价 | |||
ON |
24+ |
SOT-23 |
2987 |
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ON(安森美) |
23+ |
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20094 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT23 |
9600 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ON/安森美 |
23+ |
SOT23-3 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT-23 |
750000 |
询价 | |||
ON(安森美) |
2447 |
SOT-23(SOT-23-3) |
105000 |
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询价 |