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MMBTH10L数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

MMBTH10L

参数属性

MMBTH10L 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

功能描述

NPN Bipolar Transistor
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 15:36:00

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MMBTH10L规格书详情

描述 Description

This NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose VHF/UHF applications and is housed in the SOT-23 surface mount package. This device is ideal for low-power surface mount applications.

特性 Features

• Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
• Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
• Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes a Pb-Free Lead Finish
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

简介

MMBTH10L属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的MMBTH10L晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBTH10L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.5

  • IC Cont. (A)

    :-

  • VCEO Min (V)

    :25

  • VCBO (V)

    :30

  • VEBO (V)

    :3

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :0.95

  • hFE Min

    :60

  • hFE Max

    :240

  • fT Min (MHz)

    :650

  • PTM Max (W)

    :0.225

  • Package Type

    :SOT-23-3

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