MMBTH10数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
MMBTH10 |
| 参数属性 | MMBTH10 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 |
| 功能描述 | 中低压MOS |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | GOODWORK shenzhen Goodwork Electronics Co.,ltd. |
| 中文名称 | 固得沃克电子 深圳市固得沃克电子有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-11 11:50:00 |
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技术参数
- 产品编号：
MMBTH10
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
- 频率 - 跃迁：
650MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
长电 |
14+无铅 |
SOT-23 |
25700 |
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UMW |
2121 |
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9000 |
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SOT23 |
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SOT-23 |
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23+ |
SOT-23-3 |
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