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MMBTH10-6AF中文资料SOT-23 NPN High Frequency Transistor数据手册FOSAN规格书
MMBTH10-6AF规格书详情
描述 Description
晶体管类型: NPN
集电极电流(Ic): 50mA
集射极击穿电压 25V
耗散功率(Pd): 225mW
技术参数
- 制造商编号
:MMBTH10-6AF
- 生产厂家
:FOSAN
- 集电极电流(Ic)
:50mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
:25V
- 耗散功率(Pd)
:225mW
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
:500mV
- 直流电流增益(hFE)
:>60mA
- 特征频率(fT)
:650MHz
- 工作温度
:-55℃~+150℃
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
21+ |
SOT-23 |
8080 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
2023+ |
SOT-23 |
6000 |
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DIODES |
25+ |
SOT-23 |
2987 |
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diodes |
23+ |
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DIODES/美台 |
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SOT-23 |
25000 |
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DiodesZetex |
23+ |
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DIODES |
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SOT23 |
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25+ |
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 |
9350 |
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Diodes |
24+ |
SOT-23 |
7500 |
询价 | |||
DIODES/美台 |
2023+ |
SOT-23 |
60000 |
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询价 |