MMBTH10中文资料NPN 射频晶体管数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MMBTH10 |
| 参数属性 | MMBTH10 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN 射频晶体管 |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
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MMBTH10规格书详情
描述 Description
NPN RF晶体管 该器件设计在低噪声UHF/VHF放大器中使用，集电极电流在共用发射器、共用基极模式、低频漂移和高输出UHF振荡器中工作时为100 mA到20 mA。 采用工艺42设计。
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
MMBTH10属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的MMBTH10晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 制造商编号
：MMBTH10
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： NPN RF Transistor
- Polarity
：
- IC Continuous (A)
：
- VCEO(sus) Min (V)
：
- hFE Min
：
- hFE Max
：
- PTM Max (W)
：
- fT Min (MHz)
：
- Package Type
：
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CHINA |
24+ |
NA/ |
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23+ |
SOT-23-3 |
15000 |
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