MMBTH10Q-7-F 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 DIODES/美台半导体

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1+	面议

厂家型号：
MMBTH10Q-7-F
产品分类：
芯片
生产厂商：
DIODES/美台
库存数量：
500000
产品封装：
N/A
生产批号：
24+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-10-30 14:03:00

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详细信息
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原厂料号：MMBTH10Q-7-F品牌：DIODES/美台

美台原厂超低价支持

MMBTH10Q-7-F是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商DIODES/美台/Diodes Incorporated生产封装N/A/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMBTH10Q-7-F晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
MMBTH10Q-7-F
规格书：
下载下载2
企业简称：
DIODES【美台半导体】详情
厂商全称：
Diodes Incorporated

产品属性

类型
描述
产品编号：
MMBTH10Q-7-F
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
频率 - 跃迁：
650MHz
功率 - 最大值：
310mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
RF TRANSISTOR SOT23

供应商

企业：
深圳市乾能惠电子有限公司
商铺：
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联系人：
杨先生
手机：
18664911829
询价：
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MMBTH10Q-7-F 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 DIODES/美台半导体

MMBTH10Q-7-F

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