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MMBTH10Q中文资料25V NPN VHF/UHF TRANSISTOR IN SOT23数据手册Diodes规格书

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厂商型号

MMBTH10Q

参数属性

MMBTH10Q 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANSISTOR SOT23

功能描述

25V NPN VHF/UHF TRANSISTOR IN SOT23
RF TRANSISTOR SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 12:00:00

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MMBTH10Q规格书详情

特性 Features

•BVCEO > 25V
•IC = 50mA Continuous Collector Current
•Designed for VHF/UHF Amplifier Applications and High Output VHF Oscillators
•High Current Gain Bandwidth Product
•Ideal for Mixer and RF Amplifier Applications with Collector Currents in the 100µA to 30mA Range

简介

MMBTH10Q属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的MMBTH10Q晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBTH10Q

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Product Type

    :NPN

  • IC

    :0.05 A

  • ICM

    :N/A A

  • PD

    :0.3 W

  • hFE

    :60 Min

  • hFE (@ IC)

    :0.004 A

  • hFE (Min 2)

    :-

  • hFE (@ IC2)

    :N/A A

  • VCE (SAT) Max

    :500 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :0.004/0.4

  • VCE (SAT) (Max.2)

    :N/A mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)

    :-

  • fT

    :650 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT23

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