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MMBTH11中文资料NPN 射频晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MMBTH11

参数属性

MMBTH11 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

功能描述

NPN 射频晶体管
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 15:40:00

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MMBTH11规格书详情

描述 Description

NPN RF晶体管 该器件适合集电极电流为100 mA至10 mA的300 MHz共发射极低噪声放大器和混频器应用,以及具有驱动FET混频器的高输出电平的低频率漂移共基极VHF振荡器应用。 采用工艺47设计。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

MMBTH11属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的MMBTH11晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBTH11

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN RF Transistor 

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :50

  • VCEO(sus) Min (V)

    :25

  • hFE Min

    :60

  • hFE Max

    :-

  • PTM Max (W)

    :0.225

  • fT Min (MHz)

    :650

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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