MMBTH24分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMBTH24 |
| 参数属性 | MMBTH24 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN RF Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
36.91 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Fairchild Semiconductor |
| 企业简称 |
FAIRCHILD【仙童半导体】 |
| 中文名称 | 飞兆/仙童半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 20:32:00 |
| 人工找货 | MMBTH24价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBTH24规格书详情
NPN General Purpose Amplifier
• This device is designed for common-emitter low noise
amplifier and mixer applications with collector currents
in the 100mA to 20mA range to 300MHz, and low
frequency drift common-base VHF oscillator
applications with high output levels for driving FET
mixers.
• Sourced from process 47.
• See MPSH11 for characteristics.
产品属性
- 产品编号：
MMBTH24
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
30V
- 频率 - 跃迁：
400MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 8mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-23 |
154551 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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25+ |
SOT-23 |
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SOT23 |
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SOT-23 |
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SOT-23 |
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DIODES/美台 |
24+ |
SOT23-3 |
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ST/ON |
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