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MMBTH10M3T5G分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMBTH10M3T5G |
| 参数属性 | MMBTH10M3T5G 封装/外壳为SOT-723；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723 |
| 功能描述 | NPN VHF/UHF Transistor |
| 封装外壳 | SOT-723 |
| 文件大小 |
125.4 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-10 23:01:00 |
| 人工找货 | MMBTH10M3T5G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBTH10M3T5G规格书详情
MMBTH10M3T5G属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由安森美半导体制造生产的MMBTH10M3T5G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
The MMBTH10M3T5G device is a spin−off of our popular SOT−23 three−leaded device. It is designed for general purpose VHF/UHF applications and is housed in the SOT−723 surface mount package. This device is ideal for low−power surface mount applications where board space is at a premium.
特性 Features
• Reduces Board Space
• This is a Halide−Free Device
• This is a Pb−Free Device
产品属性
更多- 产品编号：
MMBTH10M3T5G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
- 频率 - 跃迁：
650MHz
- 功率 - 最大值：
265mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-723
- 供应商器件封装：
SOT-723
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-723 |
6547 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
8000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
2450+ |
8540 |
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ON |
25+23+ |
SOT-723 |
39681 |
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询价 | ||
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
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ON |
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? |
7500 |
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1983 |
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询价 | ||||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
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ON/安森美 |
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ON Semiconductor |
2022+ |
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