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MMBTH10LT1G分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMBTH10LT1G |
| 参数属性 | MMBTH10LT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 |
| 功能描述 | VHF/UHF Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
88.02 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-11 10:28:00 |
| 人工找货 | MMBTH10LT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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MMBTH10LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由安森美半导体公司制造生产的MMBTH10LT1G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
NPN Silicon VHF/UHF Transistor
NPN Silicon
• Device Marking: 3EM
产品属性
更多- 产品编号：
MMBTH10LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
- 频率 - 跃迁：
650MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
SOT23 |
120000 |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON |
24+ |
原封装 |
52000 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT23 |
20000 |
询价 | |||
ON |
24+ |
SOT23 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
CJ |
19+ |
SOT23 |
15000 |
询价 | |||
ON |
24+ |
SOT-23 |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 | ||
ON SEMI |
24+ |
Tube |
138000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
20610 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
SOT23 |
1990 |
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询价 | ||
ON |
16+/17+ |
SOT-23 |
3500 |
原装正品现货供应56 |
询价 |
