首页>MMBTH10LT1G>规格书详情

MMBTH10LT1G分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

MMBTH10LT1G
厂商型号

MMBTH10LT1G

参数属性

MMBTH10LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

功能描述

VHF/UHF Transistor
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

88.02 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-6-10 22:59:00

人工找货

MMBTH10LT1G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

MMBTH10LT1G规格书详情

MMBTH10LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由安森美半导体公司制造生产的MMBTH10LT1G晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

NPN Silicon VHF/UHF Transistor

NPN Silicon

• Device Marking: 3EM

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MMBTH10LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    25V

  • 频率 - 跃迁:

    650MHz

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 4mA,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
SOT23
22048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
询价
ON/安森美
24+
NA/
3307
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
ON
2016+
SOT23
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
FSC
24+
SOT23
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON
24+
SOT23
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
询价
ON
24+
SOT-23 (TO-236)
25000
ON全系列可订货
询价
ON(安森美)
2023+
SOT-23(SOT-23-3)
4550
全新原装正品
询价
ON
23+
SOT-23
7750
全新原装优势
询价
ON/安森美
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价