MMBTH10L分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料

厂商型号	MMBTH10L
参数属性	MMBTH10L 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
功能描述	VHF/UHF Transistor RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	97.09 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-10-13 14:20:00
人工找货	MMBTH10L价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

MMBTH10L规格书详情

MMBTH10L属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由安森美半导体制造生产的MMBTH10L晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

VHF/UHF Transistor

NPN Silicon

特性 Features

• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications

Requiring Unique Site and Control Change Requirements;

AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

产品属性

产品编号：
MMBTH10LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
频率 - 跃迁：
650MHz
功率 - 最大值：
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

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