首页>MMBTH10LT1G>规格书详情
MMBTH10LT1G分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
MMBTH10LT1G |
参数属性 | MMBTH10LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 |
功能描述 | VHF/UHF Transistor |
文件大小 |
97.09 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-22 18:48:00 |
相关芯片规格书
更多MMBTH10LT1G规格书详情
VHF/UHF Transistor
NPN Silicon
Features
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements;
AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
MMBTH10LT1G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。安森美半导体公司制造生产的MMBTH10LT1G晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号:
MMBTH10LT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
25V
- 频率 - 跃迁:
650MHz
- 功率 - 最大值:
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 4mA,10V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
24+ |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
610880 |
本公司只售原装 支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
8080 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
1948+ |
SOT-23 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
6000 |
只做原装,假一赔十 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT-23 |
7750 |
全新原装优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT23 |
22048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT23 |
26316 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 |