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MMBTH10LT1G分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

MMBTH10LT1G
厂商型号

MMBTH10LT1G

参数属性

MMBTH10LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

功能描述

VHF/UHF Transistor
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

文件大小

97.09 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 18:48:00

MMBTH10LT1G规格书详情

VHF/UHF Transistor

NPN Silicon

Features

• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications

Requiring Unique Site and Control Change Requirements;

AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

MMBTH10LT1G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。安森美半导体公司制造生产的MMBTH10LT1G晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    MMBTH10LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    25V

  • 频率 - 跃迁:

    650MHz

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 4mA,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
24+
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
ON/安森美
21+
SOT-23(SOT-23-3)
610880
本公司只售原装 支持实单
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ON/安森美
23+
SOT-23(SOT-23-3)
8080
原装正品,支持实单
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ON/安森美
1948+
SOT-23
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
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ON/安森美
22+
SOT-23(SOT-23-3)
6000
只做原装,假一赔十
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ON
23+
SOT-23
7750
全新原装优势
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ON/安森美
24+
SOT-23
860000
明嘉莱只做原装正品现货
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ON/安森美
23+
SOT23
22048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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ON/安森美
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SOT23
26316
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ON/安森美
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