订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>MMBTH10LT1G>详情
MMBTH10LT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 射频 ON/安森美
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
MMBTH10LT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
25V
- 频率 - 跃迁:
650MHz
- 功率 - 最大值:
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 4mA,10V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
供应商
- 企业:
深圳市中利达电子科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李先生
- 手机:
13352924009
- 询价:
- 电话:
0755-83200645
- 传真:
0755-83200645
- 地址:
深圳市福田区福田街道福南社区深南中路3007号国际科技大厦2204
相近型号
- MMBTH10L-B-AE3-R
- MMBTH10M3T5G
- MMBTH10L-A-AE3-R
- MMBTH10-NF40FSC
- MMBTH10L
- MMBTH10-NL
- MMBTH10G-C-AQ3-R
- MMBTH10G-C-AN3-R
- MMBTH10Q-7-F
- MMBTH10G-C-AL3-R
- MMBTH10QLT1G
- MMBTH10RG
- MMBTH10G-C-AE3-R
- MMBTH10RG/3E
- MMBTH10G-B-AQ3-R
- MMBTH10G-B-AN3-R
- MMBTH10RLT1
- MMBTH10G-B-AL3-R
- MMBTH10-TP
- MMBTH10G-B-AE3-R
- MMBTH10WT1G
- MMBTH10G-A-AQ3-R
- MMBTH10Y
- MMBTH10G-A-AN3-R
- MMBTH10YLT1
- MMBTH10G-A-AL3-R
- MMBTH10YWLT1G
- MMBTH10G-A-AE3-R
- MMBTH10YWT1
- MMBTH10G
- MMBTH10FSCT
- MMBTH11
- MMBTH10-FS
- MMBTH11(3G)
- MMBTH10-FDI
- MMBTH11-FS
- MMBTH10DI
- MMBTH11LT1
- MMBTH10-A
- MMBTH11LT1G
- MMBTH10-7IC
- MMBTH10-7-F
- MMBTH18
- MMBTH10-7-01-F
- MMBTH20
- MMBTH10-7
- MMBTH20LT1G
- MMBTH107
- MMBTH24
- MMBTH10-4LTR