| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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KECSOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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18年
留言
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ONSEMINA |
3000 |
25+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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1年
留言
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NK/南科功率SOT-23 |
36520 |
9420 |
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国产南科平替供应大量 |
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7年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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4年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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11年
留言
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ON(安森美)SOT-23-3 |
13067 |
23+ |
公司只做原装正品,假一赔十 |
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3年
留言
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ON(安森美)SOT-23-3 |
4650 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价 |
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1年
留言
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ONSOT23 |
2035 |
23+ |
原装现货 样品免费送 期待您的来电咨询 |
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6年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23-3 |
3022 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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17年
留言
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ONSOT-23 |
5000 |
24+ |
公司存货 |
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11年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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8年
留言
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N/A |
58000 |
24+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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4年
留言
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KECSOT-23 |
120000 |
20+ |
只做原装 可免费提供样品 |
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17年
留言
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ONSOT-23 |
100200 |
24+ |
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13年
留言
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SHIKUES(时科)SOT-23 |
3000 |
23+ |
三极管/MOS管/晶体管 > 达林顿管 |
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3年
留言
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MCC/美微科SOT-23 |
36000 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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3年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
8000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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4年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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6年
留言
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onsemi(安森美)SOT233 |
7350 |
24+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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11年
留言
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onsemiTO-236-3 SC-59 SOT-23-3 |
9350 |
25+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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MMBTA63图片
MMBTA63LT1G价格
MMBTA63LT1G价格:¥0.0905品牌:ON
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MMBTA63中文资料Alldatasheet PDF
更多MMBTA63功能描述:达林顿晶体管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MMBTA63_Q功能描述:达林顿晶体管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MMBTA63-7功能描述:达林顿晶体管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MMBTA63-7-F功能描述:达林顿晶体管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MMBTA63LT1功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MMBTA63LT1G功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
产品属性
- 产品编号:
MMBTA63
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 100µA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10000 @ 100mA,5V
- 频率 - 跃迁:
125MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3





























