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MMBTA63	文件：132.83 Kbytes Page：1 Pages	PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypesAvailable(MMBTA13/MMBTA14) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching HighCurrentGain	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBTA63	文件：64.66 Kbytes Page：2 Pages	PNP (DARLINGTON TRANSISTOR) DARLINGTONTRANSISTOR	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
MMBTA63	文件：29.77 Kbytes Page：2 Pages	PNP Darlington Transistor Features •Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhighcurrentgainatcurrentsto800mA. •SourcedfromProcess61.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBTA63	文件：46.87 Kbytes Page：2 Pages	PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypesAvailable(MMBTA13/MMBTA14) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBTA63	文件：184.98 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE DARLING TON TRANSISTOR) GENERALPURPOSEAPPLICATION. DARLINGTONTRANSISTOR.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MMBTA63	文件：143.21 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBTA13/MMBTA14). ●Highcurrentgain. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBTA63	文件：219.94 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeapplication,darlingtontransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBTA63	文件：686.74 Kbytes Page：3 Pages	PNP Darlington Amplifier Transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable (MMBTA13/MMBTA14). ●Highcurrentgain. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBTA63	文件：396.47 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors PNPDarlingtonTransistor Forgeneralpurposeapplication,darlingtontransistor MARKINGCODE:A63:2U A64:2V	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBTA63	文件：195.8 Kbytes Page：3 Pages	PNP Darlington Transistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhigh currentgainat500mA. •Marking:MMBTA63:2U MMBTA64:2V •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammability ClassificationRating94	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBTA63	文件：180.93 Kbytes Page：4 Pages	PNP Darlington Amplifier Transistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBTA63	文件：192.16 Kbytes Page：3 Pages	PNP Darlington Transistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBTA63	文件：110.66 Kbytes Page：3 Pages	PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBTA63	文件：41.27 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MMBTA63	文件：79.24 Kbytes Page：3 Pages	PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBTA63	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBTA63-7	文件：46.87 Kbytes Page：2 Pages	PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypesAvailable(MMBTA13/MMBTA14) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBTA63LT1	文件：156.93 Kbytes Page：4 Pages	Darlington Transistors DarlingtonTransistors PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBTA63LT1	文件：156.93 Kbytes Page：4 Pages	Darlington Transistors(PNP Silicon) DarlingtonTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBTA63LT1	文件：115 Kbytes Page：3 Pages	Darlington Transistors(PNP Silicon) DarlingtonTransistors PNPSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

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晶体管资料

型号：
MMBTA63
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV26,BDV46,PMBTA63,SMBTA63,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
999900
atest：
.5
wtest：
.3

产品属性

产品编号：
MMBTA63
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
125MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

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