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MMBTA63	文件：29.77 Kbytes Page：2 Pages	PNP Darlington Transistor Features • This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800 mA. • Sourced from Process 61. 文件：29.77 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MMBTA63	文件：64.66 Kbytes Page：2 Pages	PNP (DARLINGTON TRANSISTOR) DARLINGTON TRANSISTOR 文件：64.66 Kbytes 页数：2 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
MMBTA63	文件：184.98 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE DARLING TON TRANSISTOR) GENERAL PURPOSE APPLICATION. DARLINGTON TRANSISTOR. 文件：184.98 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
MMBTA63	文件：46.87 Kbytes Page：2 Pages	PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Types Available (MMBTA13 /MMBTA14) • Ideal for Low Power Amplification and Switching • High Current Gain • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 3 and 4) 文件：46.87 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBTA63	文件：195.8 Kbytes Page：3 Pages	PNP Darlington Transistor Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • This device is designed for applications requiring extremely high current gain at 500mA. • Marking : MMBTA63: 2U MMBTA64: 2V • Case Material:Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94 文件：195.8 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
MMBTA63	文件：143.21 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2U；Package：SOT-23；PNP General Purpose Transistor FEATURES ● Epitaxial planar die construction. ● Complementary NPN type available (MMBTA13/MMBTA14). ● High current gain. APPLICATIONS ● Ideal for medium power amplification and switching. 文件：143.21 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
MMBTA63	文件：219.94 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for general purpose application, darlington transistor 文件：219.94 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
MMBTA63	文件：132.83 Kbytes Page：1 Pages	PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary NPN Types Available (MMBTA13 / MMBTA14) Ideal for Medium Power Amplification and Switching High Current Gain 文件：132.83 Kbytes 页数：1 Pages	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBTA63	文件：686.74 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2U；Package：SOT-23；PNP Darlington Amplifier Transistor FEATURES ● Epitaxial planar die construction. ● Complementary NPN type available (MMBTA13/MMBTA14). ● High current gain. APPLICATIONS ● Ideal for medium power amplification and switching. 文件：686.74 Kbytes 页数：3 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
MMBTA63	文件：396.47 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2U；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors PNP Darlington Transistor For general purpose application, darlington transistor MARKING CODE: A63:2U A64:2V 文件：396.47 Kbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

晶体管资料

型号：
MMBTA63
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV26,BDV46,PMBTA63,SMBTA63,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
MMBTA63
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
125MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

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