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MMBTA05	文件：50.69 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto300mA. •Sourcedfromprocess10.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
MMBTA05	文件：45.67 Kbytes Page：2 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBTA55/MMBTA56) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
MMBTA05	文件：113.95 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (DRIVER STAGE AMPLIFIER, VOLTAGE AMPLIFIER) DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS. VOLTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES •ComplementarytoMMBTA55. •DriverStageApplicationof20to25WattsAmplifiers.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
MMBTA05	文件：256.579 Kbytes Page：4 Pages	Driver NPN Transistors DriverNPNTRANSISTOR P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
MMBTA05	文件：143.13 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Transistor FEATURES Epitaxialplanardieconstruction. ComplementaryPNPtypeavailable(MMBTA55/MMBTA56). Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS Idealformediumpoweramplificationandswitching	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
MMBTA05	文件：108.45 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors NPNSurfacemountgeneralpurposeSi-epitaxialplanartransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克
MMBTA05	文件：45.99 Kbytes Page：2 Pages	Driver Transistors Features ●Drivertransistors. ●NPNsilicon.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
MMBTA05	文件：1.16973 Mbytes Page：5 Pages	NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR VOLTAGE60~80Volts POWER225mWatts FEATURES •NPNandPNPsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
MMBTA05	文件：503.98 Kbytes Page：4 Pages	NPN Small Signal General Purpose Amplifier Transistors Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypesAvailable(MMBTA55/MMBTA56) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching. •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityra	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
MMBTA05	文件：139.63 Kbytes Page：1 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypesAvailable (MMBTA55/MMBTA56) IdealforMediumPowerAmplificationand Switching	TRSYS Transys Electronics
MMBTA05	文件：1.02335 Mbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Drivertransistor	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司
MMBTA05	文件：324.49 Kbytes Page：2 Pages	Epitaxial Transistor DESCRIPTION TheMMBTA05isAmplifierTransistor FEATURES DriverTransistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
MMBTA05	文件：203.11 Kbytes Page：3 Pages	SMD General Purpose Transistor (NPN) Features •NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forSwitchingandAmplifierApplications •RoHScompliance	TAITRON TAITRON
MMBTA05	文件：170.15 Kbytes Page：3 Pages	NPN MMBTA05 FEATURES *Collector-EmitterVoltage:VCEO=60V	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
MMBTA05	文件：726.04 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Transistor FEATURES ●Highbreakdownvoltage. ●ComplementaryPNPtypeavailable (MMBTA55/MMBTA56). ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
MMBTA05	文件：1.72236 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Drivertransistor	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
MMBTA05	文件：832.33 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Drivertransistor	UMWUMW 友台友台半导体
MMBTA05	文件：436.18 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Epitaxial Transistor DESCRIPTION TheMMBTA05isAmplifierTransistor FEATURES DriverTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司
MMBTA05	文件：349.72 Kbytes Page：4 Pages	NPN Transistor Surface device type mounting Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇DriverTransistor ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondatecode MechanicalData ◇Case:SOT-23smallou	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司
MMBTA05	文件：860.55 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Drivertransistor	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

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晶体管资料

型号：
MMBTA05
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3DK30C,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
60
htest：
999900
atest：
.5
wtest：
.3

产品属性

产品编号：
MMBTA05
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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