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MMBTA05	文件：41.15 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR 文件：41.15 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
MMBTA05	文件：112.14 Kbytes Page：3 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：112.14 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBTA05	文件：106.99 Kbytes Page：4 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：106.99 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBTA05	文件：799.69 Kbytes Page：6 Pages	NPN Small Signal General Purpose Amplifier Transistors 文件：799.69 Kbytes 页数：6 Pages	MCC	MCC
MMBTA05	文件：26.35 Kbytes Page：1 Pages	NPN (DRIVER TRANSISTOR) 文件：26.35 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
MMBTA05-A06	文件：518.72 Kbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Transistor Description The MMBTA05-A06 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The QFN-5X6 package which has been designed to achieve very low on-state resistance providing 文件：518.72 Kbytes 页数：5 Pages	BWTECH	BWTECH
MMBTA05-AU	文件：250.73 Kbytes Page：7 Pages	NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR VOLTAGE 60~80 Volts POWER 225 mWatts FEATURES • NPN and PNP silicon, planar design • Collector current IC= 500mA • Acqire quality system certificate : TS16949 • AEC-Q101 qualified • Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives. 文件：250.73 Kbytes 页数：7 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
MMBTA05G-AL3-R	文件：170.15 Kbytes Page：3 Pages	NPN MMBTA05 FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=60V 文件：170.15 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBTA05L	文件：411.37 Kbytes Page：5 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTORS DRIVER TRANSISTORS DESCRIPTION The MBTA0 5 L MBTA06L are available in SOT 23p ackage. FEATURES  Available in SOT 23 p ackage 文件：411.37 Kbytes 页数：5 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
MMBTA05L	文件：104.2 Kbytes Page：6 Pages	Driver Transistors Driver Transistors NPN Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：104.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
MMBTA05
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3DK30C,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
MMBTA05
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3

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