选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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ONN/A |
3153 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT23 |
29316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT23 |
25048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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ONSEMINA |
60000 |
2020 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT23 |
10000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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ONSOT-23 |
60000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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ONNA |
60000 |
22+ |
原厂/代理渠道价格优势 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
3000 |
21+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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ONSOT-23 |
3500 |
16+/17+ |
原装正品现货供应56 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ON15000 |
1626 |
SOT-23 |
只做原装正品,现货 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT23-3 |
12800 |
2023+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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ON/安森美N/A |
25850 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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ONN/A |
3153 |
22+ |
只做原装,支持实单 |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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ONSOT-23 |
630000 |
23+ |
一级分销商 |
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深圳市星佑电子有限公司3年
留言
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3000 |
1849 |
原装现货 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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ONNN/A |
38858 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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ON(安森美)SOT-23(SOT-23-3) |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SOT-23NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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LRC |
60000 |
08PB |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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原装N/ASOT-23 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
MMUN2111采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MMUN2111图片
MMUN2111LT1G价格
MMUN2111LT1G价格:¥0.0553品牌:ON
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更多MMUN2111制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor
MMUN2111L制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors(BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k
MMUN2111LT1功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MMUN2111LT1_05制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Bias Resistor Transistors
MMUN2111LT1G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MMUN2111LT3功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MMUN2111LT3G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MMUN2111RLT1制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-P+R
- 性质:
表面帖装型 (SMD)
- 封装形式:
贴片封装
- 极限工作电压:
50V
- 最大电流允许值:
0.1A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
UN2111,
- 最大耗散功率:
0.4W
- 放大倍数:
β>35
- 图片代号:
H-15
- vtest:
50
- htest:
999900
- atest:
.1
- wtest:
.4