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MMUN2111LT1G

Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors

文件:196.33 Kbytes 页数:13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2111LT1G

Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

文件:149.93 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2111LT1G

Digital Transistors (BRT)

文件:184.73 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2111LT1G

Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k

文件:146.35 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2111LT1G

丝印:A6A;Package:SOT-23;Digital Transistors (BRT)

文件:108.63 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2111LT1G

数字三极管

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2111LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MMUN2111LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    35 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MMUN2111LT1G供应商 更新时间2025-10-8 9:05:00