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MMUN2111LT3G	文件：149.93 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMUN2111LT3G	文件：184.73 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMUN2111LT3G	文件：146.35 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMUN2111LT3G	文件：108.63 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMUN2111LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
LMMUN2111LT3	文件：233.62 Kbytes Page：8 Pages	BiasResistorTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LMUN2111LT3G	文件：655.27 Kbytes Page：10 Pages	BiasResistorTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LMUN2111LT3G	文件：169.73 Kbytes Page：9 Pages	BiasResistorTransistor	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LMUN2111LT3G	文件：644.3 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
MMUN2111LT3	文件：145.25 Kbytes Page：7 Pages	BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsisti	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
SMMUN2111LT3G	文件：149.93 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=10k,R2=10kPNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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SMMUN2111LT3G	文件：146.35 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=10k,R2=10k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

产品编号：
MMUN2111LT3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
35 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MMUN2111LT3G	onsemi	23+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	MMUN2111LT3G	onsemi(安森美)	23+	SOT-23(TO-236)	7957	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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更多MMUN2111LT3G供应商更新时间2024-4-28 15:09:00

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