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MMUN2111LT3

Bias Resistor Transistors

PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisti

文件:145.25 Kbytes 页数:7 Pages

LRC

乐山无线电

MMUN2111LT3G

Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

文件:149.93 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2111LT3G

Digital Transistors (BRT)

文件:184.73 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2111LT3G

Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k

文件:146.35 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2111LT3G

丝印:A6A;Package:SOT-23;Digital Transistors (BRT)

文件:108.63 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2111LT3G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    MMUN2111LT3

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

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更多MMUN2111LT3供应商 更新时间2025-12-1 15:30:00