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MMUN2211LT1G

Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k

Digital Transistors (BRT) R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolith

文件:140.59 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2211LT1G

Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k

文件:149.21 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2211LT1G

Bias Resistor Transistor

文件:100.37 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2211LT1G

Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor

文件:177.51 Kbytes 页数:18 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2211LT1G

Digital Transistors (BRT)

文件:140.01 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2211LT1G_10

Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor

文件:177.51 Kbytes 页数:18 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2211LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MMUN2211LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    35 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MMUN2211LT1G供应商 更新时间2025-11-29 15:50:00