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MMUN2112	文件：266.93 Kbytes Page：7 Pages	Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transis tor with a monolithic bias network cons 文件：266.93 Kbytes 页数：7 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMUN2112	文件：138.18 Kbytes Page：6 Pages	Bias Resistor Transistor PNP Silicon Bias Resistor Transistor PNP Silicon P/b Lead(Pb)-Free 文件：138.18 Kbytes 页数：6 Pages	WEITRON	WEITRON
MMUN2112	文件：300 bytes Page：1 Pages	数字三极管	CBI 创基电子	CBI
MMUN2112LT1	文件：267.26 Kbytes Page：10 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monoli 文件：267.26 Kbytes 页数：10 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MMUN2112LT1	文件：145.25 Kbytes Page：7 Pages	Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisti 文件：145.25 Kbytes 页数：7 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMUN2112LT1G	文件：149.14 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 kOhm, R2 = 22 kOhm PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a 文件：149.14 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2112LT3	文件：145.25 Kbytes Page：7 Pages	Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisti 文件：145.25 Kbytes 页数：7 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMUN2112RLT1	文件：266.93 Kbytes Page：7 Pages	Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transis tor with a monolithic bias network cons 文件：266.93 Kbytes 页数：7 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMUN2112L	文件：182.71 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：182.71 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2112L	文件：146.04 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k 文件：146.04 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MMUN2112
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
UN2112,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β>60
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

R1(KΩ)：
22
R2(KΩ)：
22
VO(V)：
50
IO(A)：
-0.1
PD(W)：
0.2
IO(OFF)(uA)：
-0.5
IO(OFF)(V)：
-50
VO(ON)(V)：
-0.25
VO(ON)IO(mA)：
-10
VO(ON)II(mA)：
-0.3
G1：
>60
G1VO(V)：
-10
G1IO(mA)：
-5
PackageOutline：
SOT-23
Arrays：
BEC

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深圳市一线半导体有限公司	MMUN2112	LRC	24+		60000		询价
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