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MMUN2112L	文件：182.71 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：182.71 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2112L	文件：146.04 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k 文件：146.04 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2112LT1	文件：145.25 Kbytes Page：7 Pages	Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisti 文件：145.25 Kbytes 页数：7 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMUN2112LT1	文件：267.26 Kbytes Page：10 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monoli 文件：267.26 Kbytes 页数：10 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMUN2112LT1G	文件：149.14 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 kOhm, R2 = 22 kOhm PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a 文件：149.14 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2112LT3	文件：145.25 Kbytes Page：7 Pages	Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisti 文件：145.25 Kbytes 页数：7 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMUN2112LT1	文件：188.18 Kbytes Page：12 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR 文件：188.18 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2112LT1	文件：100.37 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor 文件：100.37 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2112LT1G	文件：146.04 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k 文件：146.04 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2112LT1G	文件：182.71 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：182.71 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
60
R1 (kΩ)：
22
R2 (kΩ)：
22
R1/R2 Typ：
1
Vi(off) Max (V)：
0.8
Vi(on) Min (V)：
2.5
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MMUN2112L	ON	24+		5000	有部份现货	询价
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更多MMUN2112L供应商更新时间2025-10-13 16:00:00

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