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MMBT6429LT1G	文件：200.6 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMBT6429LT1G	文件：153.02 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6429LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBT6429LT1G	文件：282.02 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT6429LT1G	文件：283.04 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistorsNPNSiliconRoHSrequirements.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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MMBT6429LT1	文件：209.58 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistors(NPNSilicon) AmplifierTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT6429LT1	文件：151.3 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors(NPNSilicon) AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6429LT1	文件：300.4 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

产品属性

产品编号：
MMBT6429LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
500 @ 100µA，5V
频率 - 跃迁：
700MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3

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中天科工半导体（深圳）有限公司	MMBT6429LT1G	onsemi	24+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多MMBT6429LT1G供应商更新时间2025-5-19 20:01:00

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