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MMBT6427-7	文件：47.93 Kbytes Page：2 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •LeadFree/RoHSCompliant(Note1)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT6427-7-F	文件：166.63 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT6427-7-F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
MMST6427-7	文件：46.96 Kbytes Page：2 Pages	NPNSURFACEMOUNTDARLINGTONTRANSISTOR Features •40VDarlingtonTransistor •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFreeGreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST6427-7-F	文件：360.98 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTDARLINGTONTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST6427-7-F	文件：120.05 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTDARLINGTONTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
MMBT6427-7
功能描述：
达林顿晶体管 40V 300mW
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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