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MMBT6429LT1	文件：209.58 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors(NPN Silicon) Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：209.58 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT6429LT1	文件：300.4 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：300.4 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
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MMBT6429LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Amplifier Transistors	恩XP 恩智浦	恩XP
MMBT6429LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Amplifier Transistors(NPN Silicon)	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT6429LT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS SS NPN 45V LN SOT23	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6429LT1G	文件：200.6 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：200.6 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6429LT1G	文件：191.72 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors 文件：191.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6429LT1G	文件：153.02 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：153.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBT6429LT1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
500 @ 100µA，5V
频率 - 跃迁：
700MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS SS NPN 45V LN SOT23

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