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MMBT6427	文件：93.89 Kbytes Page：2 Pages	NPN Darlington Transistor NPNDarlingtonTransistor Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremely highcurrentgainatcollectorcurrentsto1.0A.Sourcedfrom Process05.SeeMPSA14forcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT6427	文件：47.93 Kbytes Page：2 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •LeadFree/RoHSCompliant(Note1)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT6427	文件：271.11 Kbytes Page：5 Pages	NPN Transistors Darlington Amplifier WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
MMBT6427	文件：283.81 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistors NPNSilicon •Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MMBT6427	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	NPN (DARLINGTON TRANSISTOR)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
MMBT6427	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 40V 1.2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6427-7	文件：47.93 Kbytes Page：2 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •LeadFree/RoHSCompliant(Note1)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT6427LT1	文件：249.48 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Transistor DarlingtonTransistor NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBT6427LT1	文件：110.53 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Transistor(NPN Silicon) DarlingtonTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6427LT1G	文件：192.08 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistor DarlingtonTransistor NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6427_1	文件：166.63 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT6427_15	文件：124.83 Kbytes Page：3 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT6427-7-F	文件：166.63 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT6427LT1	文件：71.88 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistor NPN Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6427LT1_06	文件：71.88 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistor NPN Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6427LT1G	文件：71.88 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistor NPN Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6427LT1G	文件：167.75 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6427LT1G_09	文件：167.75 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6427LT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS SS DARL NPN 40V SOT23	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6427LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
MMBT6427
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
BCV27,BCV47,SMBT6427,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
40
htest：
999900
atest：
.5
wtest：
.3

产品属性

产品编号：
MMBT6427
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500µA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
14000 @ 500mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN DARL 40V 1.2A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMBT6427供应商更新时间2024-5-16 16:36:00

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