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MMBT6427	文件：93.89 Kbytes Page：2 Pages	Marking：1V；Package：SOT-23；NPN Darlington Transistor NPNDarlingtonTransistor Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremely highcurrentgainatcollectorcurrentsto1.0A.Sourcedfrom Process05.SeeMPSA14forcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT6427	文件：47.93 Kbytes Page：2 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •LeadFree/RoHSCompliant(Note1)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT6427	文件：271.11 Kbytes Page：5 Pages	NPN Transistors Darlington Amplifier WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT6427	文件：283.81 Kbytes Page：6 Pages	Marking：1V；Package：SOT-23；Darlington Transistors NPNSilicon •Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MMBT6427	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	NPN (DARLINGTON TRANSISTOR)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MMBT6427	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 40V 1.2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6427-7	文件：47.93 Kbytes Page：2 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •LeadFree/RoHSCompliant(Note1)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT6427LT1	文件：249.48 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Transistor DarlingtonTransistor NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBT6427LT1	文件：110.53 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Transistor(NPN Silicon) DarlingtonTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6427LT1G	文件：192.08 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistor DarlingtonTransistor NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MMBT6427
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
BCV27,BCV47,SMBT6427,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
MMBT6427
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500µA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
14000 @ 500mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN DARL 40V 1.2A SOT23-3

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