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MMBT6427LT1G	文件：192.08 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistor Darlington Transistor NPN Silicon Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：192.08 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6427_1	文件：166.63 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR 文件：166.63 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT6427_15	文件：124.83 Kbytes Page：3 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR 文件：124.83 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT6427-7-F	文件：166.63 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR 文件：166.63 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT6427LT1	文件：71.88 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistor NPN Silicon 文件：71.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6427LT1_06	文件：71.88 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistor NPN Silicon 文件：71.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6427LT1G	文件：167.75 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistor 文件：167.75 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6427LT1G	文件：71.88 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistor NPN Silicon 文件：71.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6427LT1G_09	文件：167.75 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistor 文件：167.75 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6427LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Darlington Transistor Darlington Transistor\nNPN Silicon	恩XP 恩智浦	恩XP

产品属性

产品编号：
MMBT6427
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500µA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
14000 @ 500mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN DARL 40V 1.2A SOT23-3

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