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MMDT5551DW	文件：396.73 Kbytes Page：3 Pages	Marking：K4N；Package：SOT-363；Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMDT5551-TP	文件：114.43 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof200mWattsofPowerDissipation •Idealf	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST5551	文件：79.67 Kbytes Page：2 Pages	NPNSmallSignalTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Powerdissipation:200mW(Tamb=25°C) •Collectorcurrent:0.2A •Marking:K4N •OperatingandStoragejunctiontemperaturerange -55°Cto+150°C •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSComplia	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST5551	文件：41.51 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:MMST5401 •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Quali	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST5551	文件：612.08 Kbytes Page：2 Pages	SOT-323BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMST5551	文件：157.73 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMST5401). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST5551	文件：103.42 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MMST5551	文件：125.03 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMST5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST5551	文件：367.26 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMST5401 ●SmallSurfaceMountPackage ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MMST5551	文件：192.91 Kbytes Page：2 Pages	NPNSmallSignalTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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