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MMST5551分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MMST5551
厂商型号

MMST5551

参数属性

MMST5551 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.2A SOT323

功能描述

Plastic-Encapsulated Transistors

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

103.42 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 Tokyo Electron Ltd.
企业简称

TEL东电电子

中文名称

东京电子有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 22:59:00

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MMST5551规格书详情

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

Power dissipation

PCM: 0.2 W (Tamb=25℃)

Collector current

ICM: 0.2 A

Collector-base voltage

V(BR)CBO: 160 V

Operating and storage junction temperature range

TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

产品属性

  • 产品编号:

    MMST5551-7-F

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    300MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SOT-323

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.2A SOT323

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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