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MMST5551	文件：103.42 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.2 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 160 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：103.42 Kbytes 页数：1 Pages	TEL 东电电子	TEL
MMST5551	文件：1.39584 Mbytes Page：5 Pages	丝印：K4N；Package：SOT-323；NPN Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.39584 Mbytes 页数：5 Pages	JINGHENG 晶恒	JINGHENG
MMST5551	文件：173.86 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K4N；Package：SOT-323；NPN General Purpose Transistor 文件：173.86 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
MMST5551	文件：192.91 Kbytes Page：2 Pages	NPN Small Signal Transistors 文件：192.91 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
MMST5551	文件：235.46 Kbytes Page：2 Pages	NPN Small Signal Transistors 文件：235.46 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
MMST5551	文件：208.81 Kbytes Page：4 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：208.81 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMST5551	文件：612.08 Kbytes Page：2 Pages	SOT-323 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR (NPN) 文件：612.08 Kbytes 页数：2 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
MMST5551	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 150V, 0.2A, SOT323	Diodes 美台半导体	Diodes
MMST5551_2	文件：125.03 Kbytes Page：3 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (MMST5401) • Ideal for Low Power Amplification and Switching • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) • Green Device (Note 3 and 4) 文件：125.03 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMST5551-7-F	文件：125.03 Kbytes Page：3 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (MMST5401) • Ideal for Low Power Amplification and Switching • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) • Green Device (Note 3 and 4) 文件：125.03 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Yes
Product Type：
NPN
IC (A)：
0.2 A
ICM (A)：
N/A A
PD (W)：
0.2 W
hFE (min)：
80 Min
hFE(@ IC)：
0.01 A
hFE(Min 2)：
30
hFE(@ IC2)：
0.05 A
VCE (SAT)Max (mV)：
150 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.5/10
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
0.05/5
fT (MHz)：
100
VCE (SAT)(Max.2)：
200 mV
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT323

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更多MMST5551供应商更新时间2025-10-13 17:47:00

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