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MMBT5551-TP	文件：68.59 Kbytes Page：2 Pages	PNP Plastic Encapsulate Transistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •CollectorCurrent:ICM=0.6A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=180V •OperatingAndStorageTemperatures–55OCto150OC •Capableof0.3WattsofPowerDissipation •Marking:G1 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(P	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT5551-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT5551W	文件：177 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistor FEATURE •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •AlsoAvailableinLeadFreeVersion •ComplementarytoMMBT5401W	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT5551W	文件：993.89 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Highvoltage,complementarypairwithMMBT5401W. Applications Generalpurposehighvoltageamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT5551W	文件：411.66 Kbytes Page：2 Pages	MMBT5551WTRANSISTOR(NPN)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT5551W	文件：321.53 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURE IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching AlsoAvailableinLeadFreeVersion ComplementarytoMMBT5401W	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMDT5551	文件：1.56192 Mbytes Page：4 Pages	NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(TPMMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMDT5551	文件：41.27 Kbytes Page：2 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT5551	文件：78.33 Kbytes Page：4 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT5551	文件：180.81 Kbytes Page：4 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

产品属性

产品编号：
MMBT5551-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

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中天科工半导体（深圳）有限公司	MMBT5551-TP	Micro Commercial Co	24+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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