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MMBT5551-TP	文件：68.59 Kbytes Page：2 Pages	PNP Plastic Encapsulate Transistor Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Collector Current: ICM=0.6A • Collector-Base Voltage: V(BR)CBO=180V • Operating And Storage Temperatures –55OC to 150OC • Capable of 0.3Watts of Power Dissipation • Marking: G1 • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P 文件：68.59 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
MMBT5551-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23	MCC	MCC
MMBT5551W	文件：177 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistor FEATURE • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Also Available in Lead Free Version • Complementary to MMBT5401W 文件：177 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
MMBT5551W	文件：993.89 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-323 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-323 Plastic Package. Features High voltage, complementary pair with MMBT5401W. Applications General purpose high voltage amplifier. 文件：993.89 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
MMBT5551W	文件：411.66 Kbytes Page：2 Pages	MMBT5551W TRANSISTOR (NPN) 文件：411.66 Kbytes 页数：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

产品属性

产品编号：
MMBT5551-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

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