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MJD122T4	文件：284.04 Kbytes Page：8 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES100VOLTS20WATT Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) •LeadFormedVersionAvailablein16mmTapeandReel(“T4”Suffix) •Sur	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MJD122T4	文件：91.56 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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MJD122T4	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD122T4	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD122T4G	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD122T4G	文件：106.5 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD122T4G	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD122T4G	文件：106.5 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MJD122T4G-CUT TAPE
制造商：
ON
功能描述：
MJD Series 100 V 8 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市珩瑞科技有限公司	MJD122T4GIC	ON/安森美	21+	TO252	6000	原装正品	询价
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深圳市富利微电子科技有限公司	MJD122T4GIC	ON/安森美	23+	TO252	30000	房间原装现货特价热卖,有单详谈	询价
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深圳市鼎欣微电子有限公司	MJD122T4GIC	ON/安森美	22+	TO252	2000	原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	MJD122T4GMOS(场效应管)	ON/安森美	2018+		6725		询价

更多MJD122T4G-CUT TAPE供应商更新时间2024-6-22 8:02:00

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