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MJD210-I	文件：46.43 Kbytes Page：5 Pages	D-PAK for Surface Mount Applications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •LowCollectorEmitterSaturationVoltage •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD210RL	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD210RLG	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD210RLG	文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD210RLG	文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE210	文件：195.25 Kbytes Page：6 Pages	PNP(COLLECTOR-EMITTERSUSTAININGVOLTAGELOWCOLLECTOR-EMITTER) COLLECTOR-EMITTERSUSTAININGVOLTAGELOWCOLLECTOR-EMITTER SATURATIONVOLTAGE HIGHCURRENTGAIN-BANDWIDTH PRODUCT-MINfT=65MHz@Ic=-100mA ComplementarytoMJE200	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MJE210	文件：63.53 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPNPTRANSISTOR DESCRIPTION TheMJE210isasiliconEpitaxial-BasePNPtransistorinJedecSOT-32plasticpackage,designedforlowvoltage,lowpower,highgainaudioamplifierapplications. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPE ■PNPTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE210	文件：255.72 Kbytes Page：6 Pages	POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors Thesedevicesaredesignedforlowvoltage,low-power,high-gainaudioamplifierapplications. Features •Collector-EmitterSustainingVoltage-VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain-hFE=70(Min)@IC=500mAdc	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE210	文件：255.72 Kbytes Page：6 Pages	5AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON25VOLTS15WATTS ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors ...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. •Collector–EmitterSustainingVoltage— VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain—hFE=70(Min)@IC=500mAdc High	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE210	文件：41.14 Kbytes Page：4 Pages	Feature Feature •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=65MHz@IC=-100mA(Min.) •ComplementtoMJE200	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
MJD210-I
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
D-PAK for Surface Mount Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	MJD210-I	FAIRCHIL	12+	TO-252	15000	全新原装,绝对正品,公司现货供应。	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	MJD210-I	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MJD210L	UTC友顺原装	23+	TO-251	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市威雅利发展有限公司	MJD210L	UTC	08+	TO252	500	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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深圳市中福国际管理有限公司	MJD210L	UTC	20+	TO252	500	进口原装现货,假一赔十	询价
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更多MJD210-I供应商更新时间2025-5-7 11:04:00

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