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MJD112-001	文件：147.74 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Darlington Power Transistors ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJD112-001	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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MJD112-001

文件：147.74 Kbytes

Page：8 Pages

Complementary Darlington Power Transistors

ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplications

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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Complementary Darlington Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

MJD112-001

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

ONSEMION Semiconductor

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产品属性

产品编号：
MJD112-001
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 2A，3V
频率 - 跃迁：
25MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
I-PAK
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	MJD112-001	ON	1415+	TO-252	28500	全新原装正品,优势热卖	询价
深圳市弘为电子有限公司	MJD112-001	ONSEMICONDU	24+	原装进口原厂原包接受订货	1650	原装现货假一罚十	询价
深圳市华来深电子有限公司	MJD112-001	ON	23+	TO-251	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
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更多MJD112-001供应商更新时间2025-5-27 11:03:00

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