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MJD128	文件：75.86 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Features Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. • Monolithic Construction With Built−in Base−Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • 文件：75.86 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD128	文件：245.58 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -4A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -120V(Min) • DPAK for Surface Mount Applications • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for general purpo 文件：245.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD128	文件：282.35 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -4A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -120V(Min) APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. 文件：282.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD128	文件：300 bytes Page：1 Pages	8.0 A，120 V，PNP 达林顿双极功率晶体管 The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. • NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n• These are PbFree Devices;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD128T4G	文件：75.86 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Features Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. • Monolithic Construction With Built−in Base−Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • 文件：75.86 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD128T4G	文件：92.84 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Monolithic Construction With Built−in Base−Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain: hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • E 文件：92.84 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD128T4G	文件：185.04 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor 文件：185.04 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD128T4G_12	文件：185.04 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor 文件：185.04 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD128T4	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD128T4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
IC Continuous (A)：
8
V(BR)CEO Min (V)：
120
VCE(sat) Max (V)：
2
hFE Min (k)：
1
hFE Max (k)：
12
fT Min (MHz)：
4
Package Type：
DPAK-3

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