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MJD128数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJD128

参数属性

MJD128 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK

功能描述

8.0 A,120 V,PNP 达林顿双极功率晶体管
TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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MJD128规格书详情

描述 Description

The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

特性 Features

• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These are PbFree Devices

简介

MJD128属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJD128晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJD128

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • IC Continuous (A)

    :8

  • V(BR)CEO Min (V)

    :120

  • VCE(sat) Max (V)

    :2

  • hFE Min (k)

    :1

  • hFE Max (k)

    :12

  • fT Min (MHz)

    :4

  • Package Type

    :DPAK-3

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