isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and DC-AC inverters

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ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode

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IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

N通道标准 Polar™ MOSFET

• 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特