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IXTH360N055T2	文件：187.49 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode 文件：187.49 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
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IXTK180N15P	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3PL	IXYS 艾赛斯上传：深圳市卓越微芯电子有限公司	IXYS
IXTK32P60P	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-264	IXYS/LITTELFUSE 上传：深圳市斌腾达科技有限公司	IXYS/LITTELFUSE

详细参数

型号：
IXTH360N055T2
功能描述：
MOSFET 360Amps 55V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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