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IXTA1N120P	文件：130.84 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Polar™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International Standard Packages • Low QG • Avalanche Rated • Low Package Inductance • Fast Intrinsic Rectifier Advantages • High Power Density • Easy to Mount • Space Savings Applications • DC-DC Converters • 文件：130.84 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA1N120P	文件：315.25 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：315.25 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA1N120P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道标准 Polar™ MOSFET • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
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详细参数

型号：
IXTA1N120P
功能描述：
MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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