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IXTY1N120P分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

IXTY1N120P
厂商型号

IXTY1N120P

参数属性

IXTY1N120P 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 1200V 1A TO252

功能描述

N-Channel Enhancement Mode
MOSFET N-CH 1200V 1A TO252

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

130.84 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 19:25:00

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IXTY1N120P规格书详情

IXTY1N120P属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由IXYS Corporation制造生产的IXTY1N120P晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

Polar™ Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Features

• International Standard Packages

• Low QG

• Avalanche Rated

• Low Package Inductance

• Fast Intrinsic Rectifier

Advantages

• High Power Density

• Easy to Mount

• Space Savings

Applications

• DC-DC Converters

• Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

• AC and DC Motor Drives

• Discharge Circiuts in Lasers, Spark Igniters, RF Generators

• High Voltage Pulse Power Applications

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXTY1N120P

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    Polar

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    1A(Tc)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 描述:

    MOSFET N-CH 1200V 1A TO252

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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