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IXSA10N60B2D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Short Circuit Rated PT IGBTs ·VCES :600V and 1200V\n·SCSOA capability\n·10 us short circuit withstand capability\n·B and B2 Class IGBTs with lower VCE (sat) optimized for Low to Medium Speed Applications;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXSA10N60B2D1	文件：589.11 Kbytes Page：6 Pages	High Speed IGBT with Diode VCES = 600 V IC25 = 20 A VCE(sat) = 2.5 V Features • International standard packages • Guaranteed Short Circuit SOA capability • Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Fast fall time for switching spee 文件：589.11 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXSA10N60B2D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 100W TO263	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXSH10N60B2D1	文件：517.22 Kbytes Page：6 Pages	High Speed IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability 文件：517.22 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXSP10N60B2D1	文件：589.11 Kbytes Page：6 Pages	High Speed IGBT with Diode VCES = 600 V IC25 = 20 A VCE(sat) = 2.5 V Features • International standard packages • Guaranteed Short Circuit SOA capability • Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Fast fall time for switching spee 文件：589.11 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXSQ10N60B2D1	文件：517.22 Kbytes Page：6 Pages	High Speed IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability 文件：517.22 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXSA10N60B2D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，10A
开关能量：
430µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/180ns
测试条件：
480V，10A，30 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263AA
描述：
IGBT 600V 20A 100W TO263

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更多IXSA10N60B2D1供应商更新时间2025-12-24 13:31:00

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