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IXSP10N60B2D1

High Speed IGBT with Diode

VCES=600V IC25=20A VCE(sat)=2.5V Features •Internationalstandardpackages •GuaranteedShortCircuitSOAcapability •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity •Fastfalltimeforswitchingspee

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXSP10N60B2D1

包装:管件 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 20A 100W TO220AB

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXSA10N60B2D1

HighSpeedIGBTwithDiode

VCES=600V IC25=20A VCE(sat)=2.5V Features •Internationalstandardpackages •GuaranteedShortCircuitSOAcapability •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity •Fastfalltimeforswitchingspee

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXSH10N60B2D1

HighSpeedIGBTwithDiodeShortCircuitSOACapability

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXSQ10N60B2D1

HighSpeedIGBTwithDiodeShortCircuitSOACapability

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

  • 产品编号:

    IXSP10N60B2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,10A

  • 开关能量:

    430µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/180ns

  • 测试条件:

    480V,10A,30 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 100W TO220AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
07+/08+
TO-220AB
151
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IXYS
23+
TO-220
8600
全新原装现货
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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TO220AB
9000
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IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-220-3
78800
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更多IXSP10N60B2D1供应商 更新时间2024-5-20 15:30:00