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IXTA110N055T7

N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET

• 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;

Littelfuse

力特

IXTA110N055T7

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件:204.32 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTA3N120

TO-263

IXYS/艾赛斯

IXTA76N25TTRL

TO-263

IXYS

艾赛斯

上传:深圳市凌旭科技有限公司

IXTA96P085T

TO-263

IXYS/艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXTA110N055T7

  • 功能描述:

    MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTA110N055T7供应商 更新时间2025-12-12 15:34:00