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IXTA180N085T7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options ·Trench Gate MOSFET Technology\n·Break down voltages VDSS: 36V to 300V\n·Current ratings ID25: 12A to 660A\n·Ultra-low on-state resistance RDS(on)\n·Superior avalanche ruggedness\n·Junction temperature TJ up to 175°C\n·International standard packages;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTA180N085T7	文件：202.65 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：202.65 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
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详细参数

型号：
IXTA180N085T7
功能描述：
MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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