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IXTA18P10T	文件：185.76 Kbytes Page：6 Pages	TrenchP Power MOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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LMAK18P10K	文件：1.01941 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
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详细参数

型号：
IXTA18P10T
功能描述：
MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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