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IXTA1N100	文件：46.64 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage MOSFET HighVoltageMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheEnergyRated Features •Internationalstandardpackages •Highvoltage,LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Fastswitchingtimes Applications •Switch-modeandresonant-modepowersupplies •Flyb	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA1N100	文件：299.15 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXTA1N100P	文件：315.15 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH1N100	文件：381.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH1N100	文件：87.69 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheEnergyRated Features ●Internationalstandardpackages ●Highvoltage,LowRDS(on)HDMOS™process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Fastswitchingtimes Applications ●Switch-modeandresonant-modepowersupplies ●Flybackinverters ●DCcho	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP1N100	文件：46.64 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageMOSFET HighVoltageMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheEnergyRated Features •Internationalstandardpackages •Highvoltage,LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Fastswitchingtimes Applications •Switch-modeandresonant-modepowersupplies •Flyb	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP1N100P	文件：153.86 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFET PolarPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity Applications	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP1N100P	文件：294.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤15Ω@VGS=10V •Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverter •Switch-ModeandResonant-Mo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTT1N100	文件：87.69 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheEnergyRated Features ●Internationalstandardpackages ●Highvoltage,LowRDS(on)HDMOS™process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Fastswitchingtimes Applications ●Switch-modeandresonant-modepowersupplies ●Flybackinverters ●DCcho	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
IXTA1N100
功能描述：
MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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