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IXTA1N100规格书详情
High Voltage MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated
特性 Features
• International standard packages
• High voltage, Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Fast switching times
Applications
• Switch-mode and resonant-mode power supplies
• Flyback inverters
• DC choppers
• High frequency matching
Advantages
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号：
IXTA1N100
- 功能描述：
MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1726+ |
TO-263 |
6528 |
只做进口原装正品现货,假一赔十! |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-263 |
8866 |
询价 | |||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-263 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-263 |
7000 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
46250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
Littelfuse/IXYS |
24+ |
TO263 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 |
